2001 Jan 29
4
NXP Semiconductors
Product specification
Silicon PIN diode
BAP64-04W
GRAPHICAL DATA
103handbook, halfpage
102
10
1
10?110?1
MLD517
1
IF
(mA)
rD
(Ω)
10
102
Fig.2 Forward resistance as a function of forward
current; typical values.
f=100MHz; Tj
=25?C.
handbook, halfpage600
0
0
4 8 12 16
VR
(V)
20
Cd
(fF)
200
400
MLD518
Fig.3 Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values.
f=1MHz; Tj
=25?C.
handbook, halfpage0
s21 2
?5
0.5
1.5 2 2.5
f (GHz)3
(dB)
?4
?3
?2
?1
1
MLD519
(3)
(4)
(1)
(2)
Fig.4 Insertion loss (?s21?2) of the diode in on-state
as a function of frequency; typical values.
(1) IF
=100mA.
(2) IF
=10mA.
(3) IF
=1mA.
(4) IF
=0.5mA.
Diode inserted in
series with a 50
?
stripline circuit and
biased via the analyzer Tee network.
Tamb
=25?C.
handbook, halfpage0
s21 2
?25
0.5
1.5 2 2.5
f (GHz)3
(dB)
?20
?15
?10
?5
1
MLD520
Fig.5 Isolation (?s21?2) of the diode in off-state as a
function of frequency; typical values.
Diode zero biased and inserted in series with a 50
?
stripline circuit.
Tamb
=25?C.
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